EFECTO DE LA TEMPERATURA DE SUSTRATO SOBRE LA ESTRUCTURA Y RESISTIVIDAD ELÉCTRICA DE PELÍCULAS DELGADAS DE NITRURO DE MOLIBDENO

Resumen

Películas delgadas de nitruro de molibdeno fueron depositadas sobre obleas de silicio (111) mediante la técnica de la pulverización catódica magnética reactiva DC, a la temperatura de sustrato de 100, 200, 300 y 400 °C, en la mezcla de gases (Ar+N2 ) a la presión de trabajo de 4,3x-3 torr. La composición de las películas ha sido definida con espectroscopia Auger (AES). La difracción de rayos X muestra que tales películas presentan una orientación cristalográfica preferencial a lo largo del plano (112) y el tamaño de grano se incrementa desde 8,21 a 13,16 nm en el rango de 100 a 400 °C de la temperatura de sustrato. La resistividad de las películas disminuye con el aumento de la temperatura de sustrato desde 74,20 a 2,45 μΩ.cm mostrando características óhmicas. El valor más bajo de la resistividad eléctrica fue de 2,45 μΩ.cm a la temperatura de sustrato de 400 °C.