PARÁMETROS DE ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y ENERGÍA PROHIBIDA EN ALEACIÓN CRISTALINA CINC BLENDA DE InAs

Resumen

El uso de materiales semiconductores como la aleación de arseniuro de indio se incrementa en nuevas aplicaciones, debido a sus propiedades electrónicas y su gran potencial como material optoelectrónico. En el presente estudio se calcularon los parámetros de estructura electrónica y la brecha de energía prohibida del arseniuro de indio con estructura cristalina blenda de cinc. Se usó el método de los orbitales lineales muffins tin LMTO con un potencial LDA que emplea la aproximación de intercambio y correlación de un gas de electrones homogéneo de spin polarizado, para resolver la ecuación de Schrödinger de la red cristalina del InAs. Las bandas de energía, la densidad de estados y la energía total se calcularon para seis casos diferentes de una pequeña fracción de la carga electrónica de valencia en las esferas vacías de la diagonal en la red. La estructura electrónica presentó una brecha de energía prohibida de 0.408 eV asociada con la energía total mínima de −18.12 Ry cercana a los resultados experimentales.