ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y TRANSICIÓN DE FASE SEMICONDUCTORA A FERROMAGNÉTICA EN FeAs CON ENLACE TETRAÉDRICO

  • César Cabrera Arista
  • Richard Bellido Quispe
  • Salvador A. Trujillo Perez
Palabras clave: bandas de energía, semiconductores, fase ferromagnética

Resumen

Aquí fueron calculadas la estructura electrónica y la energía total de la aleación FeAs con red cristalina tipo blenda de cinc. Fueron empleados el método LMTO, un potencial efectivo tipo LDA que usa la aproximación de intercambio y correlación de un gas de electrones homogéneo de spin polarizado para resolver la ecuación de Schrödinger de la red cristalina. Se calcularon las bandas de energía, densidad de estados y energía total del FeAs para siete casos diferentes de una fracción pequeña de la carga electrónica de valencia centrada en las esferas vacías de la diagonal en la red. Se obtuvo una estructura de bandas con brecha prohibida de 2,72 eV asociada con una fase semiconductora semi estable y con energía total de −17,59 Ry. Se obtuvo una fase ferromagnética estable del FeAs con una estructura electrónica que presenta dos picos distanciados por 354 meV cerca de la energía de Fermi, con energía total mínima de -19,68 Ry. Resultado que bien se puede asociar con un desdoblamiento de spin de los estados electrónicos, ya observado en estudios experimentales.

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Biografía del autor/a

César Cabrera Arista

Unidad de Investigación de Ingeniería Química UI-FIQ, Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Callao, Av. Juan Pablo II s/n Bellavista, Callao, Perú.

Richard Bellido Quispe

Unidad de Investigación de Ingeniería Química UI-FIQ, Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Callao, Av. Juan Pablo II s/n Bellavista, Callao, Perú.

Salvador A. Trujillo Perez

Unidad de Investigación de Ingeniería Química UI-FIQ, Facultad de Ingeniería Química, Universidad Nacional del Callao, Av. Juan Pablo II s/n Bellavista, Callao, Perú.

Publicado
2025-09-30